Interní SSD Samsung 990 v provedení M.2 2280 s kapacitou 2 TB a rozhraním PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 nabízí sekvenční rychlost čtení až 7 250 MB/s a zápisu až 6 450 MB/s.

Disk je vybaven vlastním řadičem Samsung a pamětí Samsung V-NAND. Místo dedikované vyrovnávací paměti využívá technologii HMB (Host Memory Buffer), která čerpá z operační paměti hostitelského systému. Díky tomu je konstrukce úsporná a disk dosahuje vysokého výkonu i v prostředích s omezeným napájením, jako jsou notebooky.

Samsung 990 je vhodný pro náročné klientské aplikace – od rychlého spouštění her a přenosu rozsáhlých mediálních souborů až po práci s velkými projektovými archivy. Náhodné rychlosti dosahují až 850 000 IOPS při čtení a 1 200 000 IOPS při zápisu, což zajišťuje plynulý chod i při intenzivní práci s mnoha malými soubory.

Správa a zabezpečení
Disk podporuje funkce TRIM, S.M.A.R.T. a automatický Garbage Collection pro dlouhodobé udržení výkonu a integrity dat. Ke správě, monitorování stavu a aktualizaci firmwaru slouží software Samsung Magician.

Provozní podmínky
Provozní teplota disku je v rozsahu 0 až +70 °C. Napájení probíhá napětím 3,3 V ± 5 %. Disk podporuje režim spánku (Device Sleep) se spotřebou typicky 3 mW.

ZÁKLADNÍ SPECIFIKACE

Kapacita: 2 TB
Typ zařízení: M.2 2280
Rozhraní: PCIe 4.0 x4, NVMe 2.0
Sekvenční čtení: 7 250 MB/s
Sekvenční zápis: 6 450 MB/s
Náhodné čtení: 850 000 IOPS
Náhodný zápis: 1 200 000 IOPS
Paměť: Samsung V-NAND
Vyrovnávací paměť: HMB (Host Memory Buffer)
Šifrování: 256bitové AES, TCG/Opal V2.0, IEEE 1667
Spotřeba energie (čtení/zápis): 4,3 W / 3,8 W
Spotřeba energie (neaktivní): 55 mW
Spotřeba energie (režim spánku): 3 mW
Napájení: 3,3 V ± 5 %
Provozní teplota: 0 až +70 °C
Odolnost vůči nárazům: 1 500 G / 0,5 ms / 3 osy
MTBF: 1 500 000 hodin
Rozměry: 80,15 × 22,15 × 2,38 mm
Hmotnost: 9 g